產(chǎn)品詳細
特點
超高分辨成像
日立的高亮度電子源可保證了即使在超低著陸電壓下，也可獲得超高分辨的圖像。
0.8 kV電壓條件下觀察RHO型沸石的實例。左圖為顆粒整體的形貌,右圖為放大圖像，顆粒表面細微的臺階結構清晰可見。低電壓觀察對于減少電子束損傷和獲取表面形狀信息較為有效。
樣品提供：日本工業(yè)技術綜合研究所 上村 佳大 先生
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高襯度的低加速電壓背散射圖像 3D NAND截面觀察; 在低加速電壓條件下，背散射電子信號能夠明顯的顯示出氧化硅層和氮化硅層的襯度差別。 |
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快速BSE圖像：新型閃爍體背散射電子探測器(OCD)* 由于使用了新型的OCD探測器，即使掃描時間不到1秒，也仍然可以觀察到Fin-FET清晰的深層結構圖像。 |
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先進的自動化功能*
EM Flow Creator 允許客戶創(chuàng)建連續(xù)圖像采集的自動化工作流程。EM Flow Creator將不同的SEM功能定義為圖形化的模塊，如設置放大倍率、移動樣品位置、調節(jié)焦距和明暗對比度等。用戶可以通過簡單的鼠標拖拽，將這些模塊按邏輯順序組成一個工作程序。經(jīng)過調試和確認后，該程序便可以在每次調用時自動獲得高質量、重現(xiàn)性好的圖像數(shù)據(jù)。
靈活的用戶界面
原生支持雙顯示器，提供靈活、高效的操作空間。6通道同時顯示與保存，實現(xiàn)快速的多信號觀測與采集。
1,2,4 或6通道信號可在同一個顯示器上同時顯示，可切換內(nèi)容包括SEM各探測器以及樣品室相機和導航相機。可以通過使用兩個顯示器來擴展工作空間，可定制的用戶界面以提高工作效率。
規(guī)格
| 機型 | SU8600 系列 | |
| 電子光學系統(tǒng) | 二次電子像分辨率 | 0.6 nm@15 kV |
| 0.7 nm@1 kV * | ||
| 放大倍率 | 20 to 2,000,000 x | |
| 電子槍 | 冷場發(fā)射電子源，支持柔性閃爍功能，包含陽極烘烤系統(tǒng)。 | |
| 加速電壓 | 0.5 to 30 kV | |
| 著陸電壓 * | 0.01 to 20 kV | |
| 探測器 | （部分為選配項） | 上探測器(UD) |
| UD ExB能量過濾器，包含SE/BSE信號混合功能 | ||
| 下探測器(LD) | ||
| 頂探測器(TD) | ||
| TD能量過濾器 | ||
| 鏡筒內(nèi)背散射電子探測器(IMD) | ||
| 半導體式背散射電子探測器 (PD-BSED) | ||
| 新型閃爍體式背散射電子探測器(OCD) | ||
| 陰極熒光探測器(CLD) | ||
| 掃描透射探測器(STEM Detector) | ||
| 附件 | （部分為選配項） | 導航相機、樣品室相機、X射線能譜儀(EDS)、背散射電子衍射探測器(EBSD) |
| 軟件 | （部分為選配項） | EM Flow Creater、HD Capture(最高 40,960×30,720 像素） |
| 樣品臺 | 馬達驅動軸 | 5軸馬達驅動（X/Y/R/Z/T） |
| 馬達驅動軸 | X：0~110 mm | |
| Y：0~110 mm | ||
| Z：1.5~40 mm | ||
| T：-5~70° | ||
| R：360° | ||
| 樣品室 | 樣品尺寸 | 最大直徑：150 mm |
*減速模式下
