產品詳細
特點：
高性能電子光學系統
二次電子分辨率: 頂位二次電子探測器(2.0 nm at 1kV)＊
高靈敏度: 高效PD-BSD, 超強的低加速電壓性能，低至100 V成像
大束流(>200 nA): 便于高效微區分析
性能優異
壓力可變: 具有優異的低真空(10 -300 Pa)成像性能，配備高靈敏度低真空探測器(UVD)＊
開倉室快速簡單換樣(最大樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
微區分析: EDS, WDS, EBSD等等
*：選配附件
規格：
| 項目 | 內容 | |
| 分辨率 |
1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2 |
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| 放大倍率 |
10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素) 30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素) |
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| 電子光學系統 | 電子槍 | ZrO /W 肖特基式電子槍 |
| 加速電壓 | 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進) | |
| 著陸電壓 | 減速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1 | |
| 最大束流 | > 200 nA | |
| 探測器 | 低位二次電子探測器 | |
| 低真空模式*2 | 真空范圍: 10 - 300 Pa | |
| 馬達臺 | 馬達臺控制 | 5 - 軸自動 (優中心) |
| 可動范圍 |
X：0～100mm Y：0～50mm Z：3～65mm T：-20～90° R：360° |
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| 最大樣品尺寸 |
最大直徑: 200 mm 最大高度: 80 mm |
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| 選配探測器 |
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*1：減速功能（包含高分辨率頂位二次電子探測器）
*2：低真空功能（包含5分割半導體探測器）
*3：空壓機(本地采購)
應用實例
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樣品：氧化鋅粉末 著陸電壓: 1 kV ; 倍率: 120,000x 低電壓下頂位二次電子探測器成像 |
樣品：PTFE 加速電壓: 3 kV ; 倍率: 13,000x UVD探測器可在低加速電壓(3 kV)和低真空 (40 Pa) 下獲得高質量圖像 |
